IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPI029N06NAKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.33 |
10+ | $2.091 |
100+ | $1.6805 |
500+ | $1.3807 |
1000+ | $1.144 |
2000+ | $1.0651 |
5000+ | $1.0257 |
10000+ | $0.9994 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 75µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPI029 |
IPI029N06NAKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPI029N06NAKSA1 PDF - EN.pdf |
Infineon TO-262
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N-CHANNEL POWER MOSFET
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPI029N06NAKSA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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